/***************************************************************************

                     Flash标准接口-在Hc32(M4P)中的实现
对 FLASH进行页擦除的代码所在地址必须小于 32768
****************************************************************************/

#include "Flash.h"
#include "Delay.h"
#include "HC32.h"
#include "string.h" //memcpy
unsigned long Flash_ErrCount = 0; //失败计数器


/***************************************************************************
                              配置说明
不可在此修改以免影响一致性！
****************************************************************************/

#ifndef FLASH
  #define FLASH              M4_EFM       //别名
#endif

/***************************************************************************
                             内部函数实现
****************************************************************************/



//-----------------------------Flash写操作完成等待函数--------------------------
//返回值同Flash_ErasePage()
static void _WaitDone(unsigned short Time)//IAR环境定义
{
  for(; Time > 0; Time--){
    if(FLASH->FSR_f.RDY) return; //非忙时写完了
    DelayUs(1);
  }
  Flash_ErrCount++; //写错误计数
}

/***************************************************************************
                        标准接口函数实现
****************************************************************************/

//------------------------------初始化函数------------------------------------
void Flash_Init(void)
{
  //这里实现为空
}

//---------------------------Flash解锁实现---------------------------------
void Flash_Unlock(void)
{
  //这里实现为空
}

//---------------------------Flash加锁实现---------------------------------
void Flash_Lock(void)
{
  //这里实现为空  
}

//---------------------------------Flash页擦除函数实现-----------------------
//此函数仅负责页擦除，不负责加解锁等
void Flash_ErasePage(unsigned long Adr)
{
  __disable_irq();
  FLASH->FAPRT = 0x0123; //解除 FLASH寄存器保护
  FLASH->FAPRT = 0x3210;
  FLASH->FWMC_f.PEMODE = 1;// 设定编程、擦写模式许可
  FLASH->FWMC_f.PEMOD = 4;//设定擦除模式为扇区擦除
  *(volatile unsigned long*)(Adr & 0xfffffffc) = 0xff; //写入任意数据启动
  _WaitDone(21000);   //等待操作结束,>20ms为经验值
  FLASH->FSR_f.OPTEND = 1;//清除擦除结束标志位
  FLASH->FWMC_f.PEMOD = 0;//设定擦除模式为只读模式
  __enable_irq();
}

//-------------------------写数据到Flash中实现----------------------------
//此函数仅负责向Flash写数据，不负责加解锁及擦除
void Flash_Write(unsigned long Adr,   //Flash地址
                 const void *pVoid,  //要写入的数据
                 unsigned long Len) //IAR环境定义
{
  //写前准备：
  if(Len < 4) return;
  __disable_irq();
  FLASH->FAPRT = 0x0123; //解除 FLASH寄存器保护
  FLASH->FAPRT = 0x3210;
  FLASH->FWMC_f.PEMODE = 1;//设定编程、擦写模式许可
  FLASH->FWMC_f.PEMOD = 1;//设定编程模式为单次编程模式
  const unsigned char *pData = (const unsigned char *)pVoid;
  //写入地址没4字对齐时部分，实现为丢弃
  unsigned char PreLen = Len & 0x03;
  if(PreLen){
    pData += PreLen;
    Len -= PreLen;
  }
  //中间4字节对齐写入
  for( ; Len > 3; Len -= 4, Adr += 4, pData+= 4){  
    *(volatile unsigned long*)Adr = *(const unsigned long*)pData; //写入数据
    _WaitDone(10000);                 //等待操作完成,10ms为经验值
  }  
  //最后未4字节未对齐部分，实现为丢弃
  
  FLASH->FSR_f.OPTEND = 1;//清除擦除结束标志位
  FLASH->FWMC_f.PEMOD = 0;//设定擦除模式为只读模式 
  __enable_irq();
}

//----------------------------从Flash中读取数据实现----------------------
//此函数为可选功能,可不实现
void Flash_Read(unsigned long Adr,   //Flash地址
                void *pVoid,          //要读出的数据
                unsigned long Len)   //读数据长度
{
  memcpy(pVoid, (unsigned char*)Adr, Len);
}